三星开发12nm DDR5 DRAM 相较上一代晶圆生产力提升约20%
消息来源:baojiabao.com 作者: 发布时间：2024-11-27
12月21日，三星电子宣布开发采用行业最先进的12nm工艺的16Gb(千兆位)DDR5DRAM(第五代)，并于近期完成并完成AMD兼容性验证。
三星电子通过应用高介电(high-k)改进电路特性的材料和创新设计增加了储存电荷的电容器的容量，从而完成了这一过程。
这代DRAM是利用多层EUV(极紫外)技术开发，三星最高DDR5Die密度(Diedensity)，同时也具有行业最高水平的集成度，12nm级DRAM与上一代晶圆相比，生产力提高了20%左右。
采用DDR5标准的新款DRAM最高支持7.2Gbps运行速度-这意味着两部电影可以在一秒钟内处理30GB超高清电影。与上一代产品相比，新一代产品，新一代产品。DRAM有望节约23%的功耗。
三星电子计划从明年开始量产12nm级DRAM，同时与全球IT企业合作，引领下一代，DRAM市场。该产品将提供给数据中心、人工智能和下一代计算等应用。
"最先进的12个行业nm级DRAM将成为DDR5市场全面扩张的催化剂，"三星电子内存部DRAM开发办公室负责人(副总裁)LeeJoo-young说。"提高能效将有助于为数据中心、人工智能和下一代计算客户提供可持续的商业环境。"
AMD首席技术官(CTO)JoeMacri表示："突破技术界限的创新需要行业合作伙伴之间的密切合作。"他表示，AMD三星电子与三星电子的再合作主要集中在Zen优化验证平台DDR5内存产品展开。
行业内DDR5内存的推广正在全面展开。2021年10月，第12代英特尔酷睿AlderLake支持桌面处理器DDR5内存;SK海力士是世界上第一个正式发布的海力士DDR5内存产品厂家，量产DDR5内存颗粒计划正在稳步推进。
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