8 月 22 日消息 在 HotChips 33 大会上，三星确认正在开发具有 8 层 TSV(直通硅通孔)的 DDR5 内存模块，是 DDR4 内存容量的两倍。这意味着理论上，512GB 内存模块是可能实现的。
通过优化封装，三星的 DDR5 内存模块高度将低于 DDR4 4 层内存。由于管芯之间的间隙更小(减少 40%)以及通过实施薄晶圆处理技术，高度的降低成为可能。重要的是，8 层 TSV 模块将提供更好的散热。
三星预计 DDR5 内存将提供比 DDR4 提升 85% 的性能，提供高达 7.2 Gbps 的带宽，以及高达 512GB 的双倍容量。同时，新模块将具有更低的 1.1V 电压，提高电源效率。
三星表示，预计到 2023/2024 年能够向主流市场提供该 DDR5 内存，数据中心市场的产品将更快推出，计划在今年年底前生产 512GB 内存模块。
特别提醒：本网信息来自于互联网，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实，对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺，并请自行核实相关内容。本站不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如若本网有任何内容侵犯您的权益，请及时联系我们，本站将会在24小时内处理完毕。
